분류 전체보기26 [논문 Review] Oxide Fixed Charge 형성 매커니즘 Oxide 막질에는 다양한 Charge가 있습니다. 계면에서 발생하는 ① Interface Trapped Charge, 산화막 내에서 이동하는 ② Mobile Charge, 산화막 내에 고정되어 있는 ③ Oxide Trapped Charge ④ Oxide Fixed Charge가 있습니다. 이들은 트랜지스터의 전기적 성질을 변화시키기 때문에 제어하는 것이 매우 중요합니다. 이번 포스팅에서는 Oxide Fixed Charge 형성 매커니즘 및 소자에 어떠한 영향을 미치는지 정리해보겠습니다. https://www.enigmatic consulting.com/semiconductor_processing/selected_shorts/Charge_in_dep_oxides.html Charge in Deposite.. 2025. 6. 3. [논문 Review] TSV Defect 종류 및 형성 매커니즘 이전 포스팅에서는 TSV를 형성하는 공정인 Bosch Etch에 대해 자세히 설명드린 바 있습니다. 이번 포스팅에서는 TSV에서 발생하는 결함(Defect)의 형성 매커니즘에 대해 설명드리고자 합니다. 해당 매커니즘을 정확히 이해하시기 위해서는 앞서 설명드린 Bosch Etch 공정에 대한 이해가 필수적입니다. 아직 이전 포스팅을 확인하지 않으셨다면, 먼저 읽어보시기를 권해드립니다.https://tomisemiconductor.tistory.com/16 [논문 Review] TSV Defect 종류 및 형성 매커니즘 - Background금일은 TSV Defect 종류 및 형성 매커니즘을 주제로 작성해보겠습니다. 이 글을 작성하기 위해서 2가지 논문을 참고하였습니다. ① A study of the mec.. 2025. 5. 6. [후기] 성균관대학교 반도체 설계 재직자 과정 안녕하세요. 저는 성균관대 산학협력단에서 진행하는 "반도체 설계 재직자 과정" 수업을 수강하였습니다. 재직자 과정은 회사 고용보험에 등록되어 있는 인원들에 한해서 신청이 가능하며, 재직자라는 점을 고려하여 매주 토요일에 수업이 진행되었습니다. 점심 제공 및 주차도 가능하여 교육 수강에 불편함이 전혀 없었습니다. 간단한 교육 정보들은 아래와 같습니다.강의 일정 : 24.10.19 ~ 24.12.21 (10주), 매주 토요일 10시-17시강의 내용 반도체 디자인 룰 및 DRC 검증 (4주)반도체 소자 구조, 동작 및 특성 (3주)반도체 회로설계 (3주)수료 기준 : 전체 출석률 80% 이상위치 : 판교 경기스타트업 캠퍼스 / 분당 킨스타워해당 과정에는 다양한 직무의 재직자가 수강하였습니다. 10주간 수업을 .. 2025. 5. 3. [논문 Review] Removal Poly Gate (RPG) 공정 중 발생하는 Poly residue 불량 Removal Poly Gate (RPG) 공정 중 발생할 수 있는 Poly residue 불량에 대해 포스팅해보겠습니다. Poly Residue 불량은 FinFET 공정의 주요한 불량입니다. 제가 참고한 논문은 아래와 같습니다.Using Post Etch Treatment (PET) to Resolve Poly Residue Defect Issue of Dummy Poly Removal (DPR) in hi-K Metal Gate Processing1. Removal Poly Gate (RPG) 공정 도입 배경Removal Poly Gate (RPG) 공정은 Gate Last 공정에서 새롭게 도입된 방식입니다. Metal Gate를 형성하기 전에 amorphous 실리콘으로 Dummy Gate를 먼저 .. 2025. 5. 3. [논문 Review] 수율(Yield) 예측 모델 오늘은 수율 예측 모델에 대해 정리해보겠습니다. 수율을 정확하게 예측하는 것은 매우 중요한 작업입니다. 특히 고객사를 유치해야 하는 Foundry 기업에서는 수율 데이터를 통해 공정의 성숙도를 어필하는 것이 핵심 전략 중 하나입니다. 고객사 입장에서도 예상 수율을 기반으로 Wafer 주문량을 결정하기 때문에, Foundry 기업은 신뢰할 수 있는 수율 정보를 제공하는 것이 필수입니다. 이 때문에 TSMC와 같은 주요 Foundry 기업들은 세미나 등 공식 발표 자리에서 꾸준히 수율과 관련된 D₀ 데이터를 공개하고 있습니다. 수율을 예측하는 방법에는 다양한 모델이 존재합니다. 이번 포스팅에서는 여러 수율 모델과 각각의 모델이 적절하게 적용되는 사례에 대해 설명하겠습니다. 참고한 논문은 아래와 같습니다.Y.. 2025. 4. 28. [논문 Review] Gate Oxide TDDB 매커니즘 및 신뢰성 평가 High-k/Metal Gate의 도입을 통해 EOT(등가 산화막 두께)를 1nm 이하로 줄이면서도 게이트 누설 전류를 효과적으로 감소시킬 수 있었습니다. 그러나 지속적인 소자 스케일링이 요구되면서 다양한 신뢰성 문제가 발생하고 있습니다. 여기서 ‘신뢰성’이란 소자가 오랜 시간 동안 안정적으로 동작할 수 있는지를 의미하며, 대표적인 신뢰성 이슈로는 NBTI(Negative Bias Temperature Instability), TDDB(Time-Dependent Dielectric Breakdown) 등이 있습니다. 이번에는 다양한 신뢰성 항목 중 "Gate Oxide TDDB"에 대해 정리해보겠습니다. 제가 참고한 논문은 아래와 같습니다.TDDB characteristic and breakdown me.. 2025. 4. 20. 이전 1 2 3 4 5 다음
