논문 Review/Device & Process Integration17 [논문 Review] TSMC BEOL SA-LELE 공정 이번 포스팅에서는 SA-LELE (Self-Aligned LELE) 공정에 대해 정리해보겠습니다. 해당 내용 관련하여 TSMC의 특허(US 10,256,096 B2) 이외에도 아래의 논문을 참고하였습니다.Design for Manufacturing With Emerging Nanolithography1. Introduction - SADP 및 LELE 공정 도입 배경 점점 Metal Line의 Pitch와 CD가 작아지고 있습니다. 만약 특정 광원을 사용하여 작은 CD 및 Pitch를 직접 구현하려 한다면, Metal Line이 제대로 형성되지 않거나, Metal Line끼리 붙어버리는 Metal Bridge 불량이 발생할 수 있습니다.따라서 작은 CD 및 Pitch를 구현하기 위해서는, 더 높은 Res.. 2025. 7. 7. [논문 Review] Oxide Fixed Charge 형성 매커니즘 Oxide 막질에는 다양한 Charge가 있습니다. 계면에서 발생하는 ① Interface Trapped Charge, 산화막 내에서 이동하는 ② Mobile Charge, 산화막 내에 고정되어 있는 ③ Oxide Trapped Charge ④ Oxide Fixed Charge가 있습니다. 이들은 트랜지스터의 전기적 성질을 변화시키기 때문에 제어하는 것이 매우 중요합니다. 이번 포스팅에서는 Oxide Fixed Charge 형성 매커니즘 및 소자에 어떠한 영향을 미치는지 정리해보겠습니다. https://www.enigmatic consulting.com/semiconductor_processing/selected_shorts/Charge_in_dep_oxides.html Charge in Deposite.. 2025. 6. 3. [논문 Review] TSV Defect 종류 및 형성 매커니즘 이전 포스팅에서는 TSV를 형성하는 공정인 Bosch Etch에 대해 자세히 설명드린 바 있습니다. 이번 포스팅에서는 TSV에서 발생하는 결함(Defect)의 형성 매커니즘에 대해 설명드리고자 합니다. 해당 매커니즘을 정확히 이해하시기 위해서는 앞서 설명드린 Bosch Etch 공정에 대한 이해가 필수적입니다. 아직 이전 포스팅을 확인하지 않으셨다면, 먼저 읽어보시기를 권해드립니다.https://tomisemiconductor.tistory.com/16 [논문 Review] TSV Defect 종류 및 형성 매커니즘 - Background금일은 TSV Defect 종류 및 형성 매커니즘을 주제로 작성해보겠습니다. 이 글을 작성하기 위해서 2가지 논문을 참고하였습니다. ① A study of the mec.. 2025. 5. 6. [논문 Review] Removal Poly Gate (RPG) 공정 중 발생하는 Poly residue 불량 Removal Poly Gate (RPG) 공정 중 발생할 수 있는 Poly residue 불량에 대해 포스팅해보겠습니다. Poly Residue 불량은 FinFET 공정의 주요한 불량입니다. 제가 참고한 논문은 아래와 같습니다.Using Post Etch Treatment (PET) to Resolve Poly Residue Defect Issue of Dummy Poly Removal (DPR) in hi-K Metal Gate Processing1. Removal Poly Gate (RPG) 공정 도입 배경Removal Poly Gate (RPG) 공정은 Gate Last 공정에서 새롭게 도입된 방식입니다. Metal Gate를 형성하기 전에 amorphous 실리콘으로 Dummy Gate를 먼저 .. 2025. 5. 3. [논문 Review] Gate Oxide TDDB 매커니즘 및 신뢰성 평가 High-k/Metal Gate의 도입을 통해 EOT(등가 산화막 두께)를 1nm 이하로 줄이면서도 게이트 누설 전류를 효과적으로 감소시킬 수 있었습니다. 그러나 지속적인 소자 스케일링이 요구되면서 다양한 신뢰성 문제가 발생하고 있습니다. 여기서 ‘신뢰성’이란 소자가 오랜 시간 동안 안정적으로 동작할 수 있는지를 의미하며, 대표적인 신뢰성 이슈로는 NBTI(Negative Bias Temperature Instability), TDDB(Time-Dependent Dielectric Breakdown) 등이 있습니다. 이번에는 다양한 신뢰성 항목 중 "Gate Oxide TDDB"에 대해 정리해보겠습니다. 제가 참고한 논문은 아래와 같습니다.TDDB characteristic and breakdown me.. 2025. 4. 20. [논문 Review] RDF(Random Dopant Fluctuation)에 의한 Vt mismatch 영향성 및 개선 방안 이전 포스팅에서 Vt mismatch가 유발하는 Parametric 불량에 대해 알아보았습니다. 이번에는 근본적으로 Vt mismatch가 왜 발생하는지, 그 중에서도 RDF(Random Dopant Fluctuation)에 대해 알아보겠습니다. https://tomisemiconductor.tistory.com/20 [논문 Review] Vt variation(mismatch)에 따른 Parametric 불량Vt variation과 Vt mismatch에 따른 Parametric 불량에 대해 정리해보겠습니다. 참고한 논문은 아래와 같습니다.Design and Analysis of a Self-Repairing SRAM 모든 소자의 종류(SVT, LVT, uLVT) 마다 Vt는 정해져 있습니다tomise.. 2025. 4. 12. 이전 1 2 3 다음
