tddb1 [논문 Review] Gate Oxide TDDB 매커니즘 및 신뢰성 평가 High-k/Metal Gate의 도입을 통해 EOT(등가 산화막 두께)를 1nm 이하로 줄이면서도 게이트 누설 전류를 효과적으로 감소시킬 수 있었습니다. 그러나 지속적인 소자 스케일링이 요구되면서 다양한 신뢰성 문제가 발생하고 있습니다. 여기서 ‘신뢰성’이란 소자가 오랜 시간 동안 안정적으로 동작할 수 있는지를 의미하며, 대표적인 신뢰성 이슈로는 NBTI(Negative Bias Temperature Instability), TDDB(Time-Dependent Dielectric Breakdown) 등이 있습니다. 이번에는 다양한 신뢰성 항목 중 "Gate Oxide TDDB"에 대해 정리해보겠습니다. 제가 참고한 논문은 아래와 같습니다.TDDB characteristic and breakdown me.. 2025. 4. 20. 이전 1 다음
