FinFET3 [논문 Review] 온도에 따른 FinFET, GAAFET 특성 변화 온도에 따른 FinFET, GAAFET 특성 변화에 대해 포스팅해보겠습니다. 제가 참고한 논문은 아래와 같습니다.Comparison of Temperature Dependent Carrier Transport in FinFET and Gate-All-Around Nanowire FET1. IntroductionMOSFET을 대신하여 최근 FinFET이 CMOS에서 계속 적용되어왔지만, 반도체가 더욱 미세화될수록 DIBL, Vt Roll-Off, 기생 저항의 문제가 발생하고 있습니다. 이러한 문제를 해결하기 위해 Gate 제어력이 더 높은 GAAFET가 도입되고 있습니다. GAAFET 도입을 통해 Gate 제어력을 높여서 Short Channel Effect을 줄여 더 공격적으로 공정 미세화할 수 있습니다.. 2025. 3. 10. [논문 Review] Single, Double Diffusion Break(DDB, SDB) 공정의 FinFET 소자에서의 기술 발전 이번 포스팅은 SDB, DDB에 관련한 내용입니다. 공정을 하시는 분들이라면 SDB, DDB에 관련된 내용을 많이 들어보셨을 거 같습니다. 참고한 논문은 아래와 같습니다.Single and Double Diffusion Breaks in 14nm FinFET and Beyond 해당 문헌에서는 SDB, DDB에 따른 LDE(Layout Dependent Effect)와 Tech가 고도화되면서 해당 공정에 대한 변화를 설명하고 있습니다. 먼저 간단하게 LDE의 개념과 SDB, DDB에 대해 설명하고 논문 Review를 진행하겠습니다. 1. Layout Dependent Effect (LDE)Layout Dependent Effect는 반도체 소자의 배치나 형상이 소자의 동작 특성에 미치는 영향을 설명합니다.. 2024. 11. 17. [논문 Review] FinFET Scaling에 따른 소자 특성 변화 이번 포스팅에서는 FinFET Scaling에 따른 소자 특성 변화에 대한 논문에 대해 Review 하겠습니다.① Physical Scaling Limits of FinFET Structure: A Simulation Study② The Effect of Fin Structure in 5 nm FinFET Technology FinFET 구조적 변화에 따라 크게 3가지 인자 변화에 대해 서술하고 있습니다.논문 Review에 앞서 배경이 되는 몇가지를 설명하겠습니다.1. 문턱 전압 VtMinority carrier에 의해 inversion layer가 형성되는 순간의 Gate 전압을 말합니다. 해당 내용을 수식으로 나타내면 아래와 같습니다. 저는 Vt를 Depletion Region을 만들기 위한 전압으로.. 2024. 9. 29. 이전 1 다음
