parasitic capacitance1 Parasitic Capacitance 종류 및 형성 과정 MOSFET에는 원치 않은 다양한 기생 Cap (Parasitic Capacitance)이 발생하게 됩니다. Para. Cap은 의도치 않게 전하를 모을 수 있는 모든 부분을 얘기합니다. 유일하게 의도하여 전하를 모으는 것은 MOS 구조 내 Oxide 입니다. 이러한 Para. Cap은 Vt 변화, AC 및 DC 특성 저하 등 다양한 변화를 야기합니다. 그 중 Gate와 Source/Drain, Body 내에서 발생하는 Para. Cap을 정리해보고 예상되는 소자 변화 및 개선 방안에 대해서 얘기해보겠습니다.1. Overlap CapacitanceSource/Drain Implantation 후 Dopant가 Random Diffusion 하면서 Gate 아래 위치하게 됩니다. 이러한 산포는 Gate와 .. 2024. 10. 6. 이전 1 다음
